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IRF7306QTRPBF from IOR,International Rectifier

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IRF7306QTRPBF

Manufacturer: IOR

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7306QTRPBF IOR 32500 In Stock

Description and Introduction

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7306QTRPBF is a MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7306QTRPBF  

### **Description:**  
The IRF7306QTRPBF is a dual N-channel MOSFET in a PQFN 5x6 package, designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for synchronous buck converters and other power-switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A per MOSFET (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 8.5mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6 (Dual N-Channel)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power supply applications.  

(Note: All details are based on Infineon's official datasheet.)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7306QTRPBF IR 4258 In Stock

Description and Introduction

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7306QTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET (HEXFET®)  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **RDS(on) (Max) at VGS = 10V:** 6.0mΩ  
- **RDS(on) (Max) at VGS = 4.5V:** 8.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 48W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6 (8-pin)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for high efficiency  
- **Optimized for Synchronous Buck Converters**  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

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