-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7306TRPBF is a dual N-channel HEXFET® Power MOSFET from Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per MOSFET  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A per MOSFET  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per MOSFET  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** SO-8 (Dual MOSFET)  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Logic-Level Gate Drive** compatible with 5V signals  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet.