20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7307 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **R_DS(ON) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(ON) (Max):** 5.5mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min) – 2.0V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7307 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications  

The device is typically available in a TO-220 package.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)