HEXFET POWER MOSFET The IRF7307PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7307PBF is a dual N-channel MOSFET in a single package, designed for high-efficiency power switching applications. It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A per MOSFET (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 18mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Features:**  
- Dual N-channel MOSFET in a single package  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.