30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7309 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 12mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 15mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7309 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low On-Resistance** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The IRF7309 is available in a TO-220AB package.  

(Note: All details are based on manufacturer datasheets and may vary slightly depending on revisions.)