30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7309TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and battery management systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7309TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 19mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D²PAK (TO-263)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  
- **Pin Count:** 3  

### **Features:**  
- Advanced process technology for low on-resistance  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Switching power supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.