30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7309TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7309TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7309TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and low power dissipation in switching circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A per MOSFET (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 70mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per MOSFET (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** SO-8 (Dual MOSFET in a single package)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Dual N-channel MOSFET in a single package  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in computing and telecom systems  
- Motor control circuits  
- Battery protection circuits  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.