400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF730A is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF730A is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (400V)**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Low Input Capacitance**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.