400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF730ALPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The IRF730ALPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 400V V_DSS  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole mounting  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.