400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF730AS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF730AS is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of IR’s HEXFET® series, offering low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency.  
- **TO-220AB Package:** Provides good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.