400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF730ASPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF730ASPBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is part of the HEXFET® power MOSFET series, offering efficient performance in various electronic circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 400V applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in operation.  
- **TO-220AB Package:** Ensures good thermal performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.