400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF730PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF730PBF  

### **Description:**  
The IRF730PBF is a N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® power MOSFET series, which provides efficient power management and low on-resistance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Up to 400V  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness  
- **Pb-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.