400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF730STRL is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
The IRF730STRL is a N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of Infineon's HEXFET® Power MOSFET series, optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for demanding applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.