400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF730STRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 280pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures reliable operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation from Infineon Technologies.