20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7311 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Package:** SO-8  

### **Key Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-Channel and one P-Channel MOSFET in a single package.  
- **Voltage Ratings:**  
  - **N-Channel (IRF7311N):** 30V Drain-Source Voltage (V_DSS)  
  - **P-Channel (IRF7311P):** -30V Drain-Source Voltage (V_DSS)  
- **Current Ratings:**  
  - **N-Channel:** 5.3A Continuous Drain Current (I_D)  
  - **P-Channel:** -4.5A Continuous Drain Current (I_D)  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - **N-Channel:** 0.045Ω (typical at V_GS = 10V)  
  - **P-Channel:** 0.085Ω (typical at V_GS = -10V)  
- **Gate Drive Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-efficiency power applications.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

### **Description:**  
The IRF7311 combines complementary N-Channel and P-Channel MOSFETs in a single SO-8 package, providing space-saving benefits for compact circuit designs. It is designed for high-efficiency switching applications with low conduction losses.  

(Note: Always refer to the official datasheet for complete specifications.)