20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7311TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 20V  
  - P-Channel: -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 1V (min), 2V (max)  
  - P-Channel: -1V (min), -2V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.045Ω (max) @ V_GS = 10V  
  - P-Channel: 0.065Ω (max) @ V_GS = -10V  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for synchronous buck converters and motor control circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.