Generation V Technology The IRF7313PBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.11Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.18Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  

### **Description & Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness against inductive load switching.  
- **Package:** 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit).  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.