HEXFET Power MOSFET The IRF7313QPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7313QPBF  

### **Description:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.045Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.075Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 1V (min), 2V (max)  
  - P-Channel: -1V (min), -2V (max)  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** N-Channel and P-Channel in one package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness.  
- **Pb-Free Package:** Compliant with RoHS standards.  

### **Package Type:**  
PowerPAIR SO-8  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in portable devices  
- Synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.