-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7316 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel HEXFET MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 3.1A  
  - P-Channel: -2.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per MOSFET (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The IRF7316 is designed for high-efficiency power switching applications.  
- It combines an N-channel and P-channel MOSFET in a single package, making it suitable for complementary switching circuits.  
- The HEXFET technology provides low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET:** Integrated N-channel and P-channel in one package.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Efficiency:** Suitable for power management and DC-DC converters.  
- **SOIC-8 Package:** Compact and surface-mountable.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.