### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - **N-Channel MOSFET:**  
    - **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
    - **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
    - **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 10V  
    - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
  - **P-Channel MOSFET:**  
    - **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
    - **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
    - **R_DS(on) (Max):** 0.09Ω @ V_GS = -10V  
    - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET in a single package** (N-Channel + P-Channel)  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Optimized for synchronous buck converters**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and load switching.