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IRF7322D1TRPBF from IR,International Rectifier

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IRF7322D1TRPBF

Manufacturer: IR

-20V FETKY

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7322D1TRPBF IR 58 In Stock

Description and Introduction

-20V FETKY The IRF7322D1TRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7322D1TRPBF  

### **Description:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Drain-Source Voltage (VDS):**  
    - N-Channel: 30V  
    - P-Channel: -30V  
- **Current Ratings:**  
  - **Continuous Drain Current (ID):**  
    - N-Channel: 5.3A  
    - P-Channel: -4.3A  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (at VGS = 10V)  
  - P-Channel: 110mΩ (at VGS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (typical)  
  - P-Channel: -2V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per MOSFET)  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Combines N-Channel and P-Channel in one package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount).  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V drive signals.  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters.  
- Motor control circuits.  
- Battery-powered systems.  
- Load switching applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7322D1TRPBF.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7322D1TRPBF IOR 35000 In Stock

Description and Introduction

-20V FETKY The IRF7322D1TRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (ID):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 0.045Ω (VGS = 10V)  
  - P-Channel: 0.085Ω (VGS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Logic Level Gate Drive:** Suitable for low-voltage applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.

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