### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Package:** SOIC-8  

### **Key Features:**  
- **N-Channel MOSFET:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
  - **R_DS(on) (Max):** 0.075Ω @ V_GS = 10V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  

- **P-Channel MOSFET:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -55V  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
  - **R_DS(on) (Max):** 0.15Ω @ V_GS = -10V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  

- **General Characteristics:**  
  - **Low Gate Charge**  
  - **Fast Switching Speed**  
  - **Avalanche Energy Rated**  
  - **Pb-Free and RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management Circuits  
- Synchronous Rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet.