-20V FETKY The IRF7324D1TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **R_DS(on) (Max at V_GS = 10V):**  
  - N-Channel: 0.1Ω  
  - P-Channel: 0.19Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Optimized for synchronous buck converters and other power management applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Dual MOSFET configuration in a single package for space-saving designs.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

-20V FETKY The IRF7324D1TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7324D1TR  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Package:** SOIC-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 21A  
  - P-Channel: -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (at V_GS = -10V)  
- **Gate Charge (Q_g):**  
  - N-Channel: 12nC  
  - P-Channel: 15nC  

### **Features:**  
- High-speed switching  
- Low gate charge  
- Low on-resistance  
- Avalanche rugged  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery protection circuits  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

-20V FETKY The IRF7324D1TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min) to 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min) to -4V (max)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**
- The IRF7324D1TR is a dual MOSFET combining one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- Designed for power management applications, including DC-DC converters, motor control, and switching circuits.  
- Features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Dual MOSFET (N+P) in one package**  
- **Low gate charge**  
- **High efficiency switching**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7324D1TR.