-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7328TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 26A  
  - P-Channel: -21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-Channel: 500pF  
  - P-Channel: 600pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The IRF7328TR is a dual MOSFET combining one N-channel and one P-channel HEXFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters and motor control circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Optimized for high-frequency applications.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.