HEXFET Power MOSFET The IRF7331PBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per MOSFET (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.11Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.22Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min)  
  - P-Channel: -2V (min)  
- **Package:** DIP-8 (PDIP-8)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Complementary N and P-channel pair in a single package.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.