30V Dual N Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-14 package The IRF7335D1TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 20A  
  - P-Channel: -16A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.06Ω (max @ V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.16Ω (max @ V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-Channel: 500pF (typ)  
  - P-Channel: 650pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRF7335D1TRPBF is a dual MOSFET in a SOIC-8 package, combining one N-channel and one P-channel HEXFET MOSFET.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Dual MOSFET:** Contains both N-channel and P-channel in a single package.  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness under transient conditions.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.