12V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7338 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - One N-channel MOSFET  
  - One P-channel MOSFET  
- **Voltage Ratings:**  
  - **N-Channel:** 55V  
  - **P-Channel:** -55V  
- **Current Ratings:**  
  - **N-Channel (ID):** 4.3A  
  - **P-Channel (ID):** -3.5A  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - **N-Channel:** 0.11Ω (max) @ VGS = 10V  
  - **P-Channel:** 0.25Ω (max) @ VGS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - **N-Channel:** 2V (min), 4V (max)  
  - **P-Channel:** -2V (min), -4V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per MOSFET)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor drives, and power management circuits.  
- Matched N and P-channel pair for complementary switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.