12V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7338TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 26A  
  - P-Channel: -21A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.1Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.23Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Combines one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **High Efficiency:** Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for improved reliability.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by standard logic-level signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

12V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7338TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.3A  
  - P-Channel: -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by standard logic-level signals.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.