12V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7338TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.5A  
- **R_DS(on)GS = 10V:**  
  - N-Channel: 0.045Ω  
  - P-Channel: 0.11Ω  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Logic-Level Compatible (N-Channel):** Can be driven by 5V logic.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.