55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7341 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - **N-Channel MOSFET (IRF7341PbF - Upper MOSFET)**  
    - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
    - **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
    - **R_DS(on) (Max):** 0.11Ω (at V_GS = 10V)  
    - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
    - **Power Dissipation (P_D):** 2W  

  - **P-Channel MOSFET (IRF7341PbF - Lower MOSFET)**  
    - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -55V  
    - **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
    - **R_DS(on) (Max):** 0.22Ω (at V_GS = -10V)  
    - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
    - **Power Dissipation (P_D):** 2W  

### **Package:**  
- **8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)**  

### **Features:**  
- **Dual N- and P-Channel MOSFETs in a single package**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Fully Avalanche Rated**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
- **Designed for high-efficiency power management applications**  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control Circuits**  
- **Power Management in Portable Devices**  
- **Synchronous Rectification**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7341.