55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package designed and qualified for the industrial market The IRF7341ITRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET from Infineon Technologies.  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 17A  
  - P-Channel: -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 85mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 150mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min)  
  - P-Channel: -2V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-Channel: 300pF  
  - P-Channel: 380pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **High Efficiency:** Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Logic-Level Compatible:** Suitable for 5V gate drive applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for improved reliability.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7341ITRPBF.