-55V FETKY The IRF7342D2 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Package:** SO-8  

### **Electrical Characteristics (N-Channel):**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  

### **Electrical Characteristics (P-Channel):**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max at V_GS = -10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  

### **General Features:**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management**  
- **Synchronous Rectification**  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF7342D2.

-55V FETKY The IRF7342D2 is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 17A  
  - P-Channel: -14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.065Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.12Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (typical)  
  - P-Channel: -2V (typical)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Compliant with RoHS standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, motor control, and DC-DC converter applications.