-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7342QPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 26A  
  - P-Channel: -21A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (V_GS = -10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-Channel: 450pF  
  - P-Channel: 600pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF7342QPBF is a dual MOSFET in a PQFN 5x6 package, combining one N-channel and one P-channel MOSFET. It is designed for high-efficiency power switching applications, including synchronous buck converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** N-channel and P-channel in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **PQFN 5x6 Package:** Compact footprint for space-constrained designs.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF7342QPBF.