-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7342QTRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 17A  
  - P-Channel: -15A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 85mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 140mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-Channel: 350pF  
  - P-Channel: 350pF  
- **Package:** SO-8  

### **Features:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche rugged design  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, and motor control applications.

-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7342QTRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7342QTRPBF is a dual MOSFET in a PQFN 3x3 package, combining one N-channel and one P-channel MOSFET. It is designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **N-Channel MOSFET:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
  - **R_DS(on) (Max):** 0.055Ω @ V_GS = 10V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  

- **P-Channel MOSFET:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -55V  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** -3.8A  
  - **R_DS(on) (Max):** 0.11Ω @ V_GS = -10V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  

- **Package:** PQFN 3x3 (8-pin)  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for fast switching  
- **Low Thermal Resistance** for improved power dissipation  
- **Avalanche Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in portable devices  
- Motor control  
- Battery protection circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.