-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7342TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET from Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
- Dual N-channel and P-channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge and low on-resistance for improved performance.  

### **Key Features:**  
- **N-Channel MOSFET (IRF7342):**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
  - **R_DS(on) (Max):** 0.11Ω @ V_GS = 10V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  

- **P-Channel MOSFET (IRF7342):**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DS):** -55V  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
  - **R_DS(on) (Max):** 0.26Ω @ V_GS = -10V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  

- **Common Features:**  
  - **Package:** SOIC-8  
  - **Fast Switching Speed**  
  - **Low Gate Drive Power Required**  
  - **Avalanche Energy Specified**  
  - **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7342TRPBF. For detailed specifications, refer to the official documentation.

-55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7342TRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Package:** SOIC-8  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Dual Configuration:** N-Channel + P-Channel  
- **Voltage Ratings:**  
  - **N-Channel (V_DSS):** 55V  
  - **P-Channel (V_DSS):** -55V  
- **Current Ratings:**  
  - **N-Channel (I_D):** 4.3A  
  - **P-Channel (I_D):** -4.0A  
- **R_DS(on) (Max @ V_GS):**  
  - **N-Channel:** 0.065Ω @ 10V  
  - **P-Channel:** 0.16Ω @ -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - **N-Channel:** 2V (min)  
  - **P-Channel:** -2V (min)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Combines an N-channel and P-channel MOSFET in a single package for complementary switching applications.  
- **Low R_DS(on):** Provides efficient power handling with minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness under inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive (N-Channel):** Can be driven by 5V logic signals.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management circuits  
  - Battery protection  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.