55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7343Q is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Key Electrical Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:**  
  - N-Channel: 0.08Ω  
  - P-Channel: 0.18Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Power Dissipation:** 2.5W  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High efficiency  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management applications, DC-DC converters, and motor control circuits.