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IRF7343TR from IRF,International Rectifier

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IRF7343TR

Manufacturer: IRF

55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7343TR IRF 13070 In Stock

Description and Introduction

55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7343TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (ID):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):**  
  - N-Channel: 26A  
  - P-Channel: -21A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 0.055Ω (VGS = 10V)  
  - P-Channel: 0.11Ω (VGS = -10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):**  
  - N-Channel: 580pF  
  - P-Channel: 750pF  
- **Package:** SO-8  

### **Features:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package  
- Low on-resistance for efficient power handling  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7343TR IR 16000 In Stock

Description and Introduction

55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7343TR is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Package:** SO-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 0.065Ω (at VGS = 10V)  
  - P-Channel: 0.12Ω (at VGS = -10V)  
- **Gate Charge (Qg):**  
  - N-Channel: 8.3nC (typical)  
  - P-Channel: 9.2nC (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Combines one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

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