100V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7350TRPBF is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7350TRPBF  

### **Description:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Ratings:**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Current Ratings:**  
  - N-Channel: 5.3A (continuous drain current)  
  - P-Channel: -4.3A (continuous drain current)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 0.06Ω (max @ VGS = 10V)  
  - P-Channel: 0.14Ω (max @ VGS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Power Dissipation:** 2W (per MOSFET)  
- **Package:** 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Battery protection systems  
- Load switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF7350TRPBF.

100V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7350TRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7350TRPBF  

### **Description:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (ID):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 85mΩ (at VGS = 10V)  
  - P-Channel: 140mΩ (at VGS = -10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):**  
  - N-Channel: 350pF  
  - P-Channel: 500pF  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Combines N-Channel and P-Channel in one package.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Package:**  
- **Type:** SOIC-8  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Power management in portable devices  
- Synchronous rectification  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.