30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IRF)  
- **Part Number:** IRF7509TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF7509TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7509TR  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 4.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- Improved thermal characteristics  
- Avalanche energy rated  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- High-current switching applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package