30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7509TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7509TRPBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 80A (continuous)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (max)  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Optimized for fast switching  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- High-Current Switching Circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 80A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 3.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low on-resistance and high switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package