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IRF7521D1TR from IR,International Rectifier

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IRF7521D1TR

Manufacturer: IR

20V FETKY

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7521D1TR IR 20000 In Stock

Description and Introduction

20V FETKY The IRF7521D1TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **RDS(on) (Max):** 0.065Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7521D1TR is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves reliability in rugged environments.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures consistent operation in high-frequency circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

20V FETKY
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7521D1TR IOR 28000 In Stock

Description and Introduction

20V FETKY The IRF7521D1TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7521D1TR  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 23A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.065Ω (at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 8.5nC  
- **Input Capacitance (Ciss):** 380pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 35pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D-PAK (TO-252)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7521D1TR.

Application Scenarios & Design Considerations

20V FETKY

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