20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7530 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical at V_DS = 15V, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Rugged and reliable HEXFET technology.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  
- Avalanche energy rated for enhanced durability in harsh conditions.  

These details are based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7530 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7530  

### **Description:**  
The IRF7530 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of IR's HEXFET® family, known for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 140A (continuous) at 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220 Package**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Battery Protection Circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7530 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 36A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 144A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.008Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- The IRF7530 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features a low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters and motor control circuits.  
- The device is optimized for low-voltage applications (up to 30V) and provides high power handling capability.  
- The TO-220AB package ensures good thermal performance and ease of mounting.  
- It is commonly used in power supplies, motor drives, and automotive applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7530 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies** (formerly International Rectifier)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for efficient power conversion.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

This information is based solely on manufacturer datasheets and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package