20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7530TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7530TR is a high-current, low-on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low voltage, high-speed switching in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 80A continuous current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7530TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7530TR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The IRF7530TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For precise application guidelines, refer to the official documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package