30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7603 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR (Input/Output Resistance) specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7603  

### **Description:**  
The IRF7603 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (RDS(on)), making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
1. **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
   - Typically 0.045 Ω (at VGS = 10 V, ID = 6.5 A)  
   - Ensures minimal power loss and high efficiency.  

2. **Fast Switching Speed:**  
   - Low gate charge (Qg) for improved switching performance.  

3. **Voltage Rating:**  
   - Drain-to-Source Voltage (VDS): 30 V  
   - Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20 V  

4. **Current Handling:**  
   - Continuous Drain Current (ID): 6.5 A (at 25°C)  
   - Pulsed Drain Current (IDM): 26 A  

5. **Low Gate Drive Requirements:**  
   - Compatible with logic-level and standard MOSFET drivers.  

6. **Package Type:**  
   - Available in a compact DPAK (TO-252) package for efficient thermal performance.  

7. **Applications:**  
   - DC-DC converters  
   - Power supplies  
   - Motor control  
   - Load switching  

### **Note:**  
For exact IOR (Input/Output Resistance) specifications, refer to the datasheet, as this parameter may vary based on operating conditions.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7603 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7603  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for fast switching in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in harsh conditions.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for synchronous rectification in low-voltage applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7603 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in high-frequency circuits.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7603 MOSFET.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7603 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
- The IRF7603 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating:** 30V  
- **Current Rating:** 11A (continuous drain current)  
- **RDS(ON):** 0.022Ω (typical at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  
- **Low Gate Drive Requirements**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Computing & Telecom Systems  

### **Package:**  
- D2PAK (TO-263)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package