-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7606TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7606TRPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Advanced process technology for low R_DS(on)  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Automotive systems  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7606TRPBF.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package