20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7607TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.013Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF7607TR.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package