-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7663TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7663TR is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, power supplies, and motor control applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 10A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8.5mΩ (typical) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Power Management  
- Motor Control  
- Load Switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7663TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7663TR  

### **Description:**  
The IRF7663TR is a N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and low power dissipation in switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **R_DS(on) (Max):** 5.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8 (Optimized for space-saving applications)  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 20nC (Typical)  
- **Fast Switching Speed**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Power Management in Computing & Telecom  
- Motor Control  
- Battery Protection Circuits  
- Load Switching  

### **Package Type:**  
PowerPAK® SO-8 (Surface Mount)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package