-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7706TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7706TRPBF is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220AB  
- **Technology:** Advanced HEXFET® MOSFET  
- **Low Gate Charge (Q_G):** 130nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  
- Battery Management Systems  

This MOSFET is designed for high-current, low-voltage applications where efficiency and thermal performance are critical.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package