-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7707TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7707TR is a HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 7.0mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 500mJ  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Low Thermal Resistance (RθJC):** 0.75°C/W  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  
- Battery Management Systems  

This MOSFET is designed for high-performance power switching with efficient thermal management.

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package