-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Halogen-Free TSSOP-8 package The IRF7751GTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7751GTRPBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power switching applications  
- Optimized for low gate charge and low on-resistance  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.7mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable design  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** Surface Mount  

This MOSFET is commonly used in power management applications such as motor control, DC-DC converters, and high-current switching circuits.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Halogen-Free TSSOP-8 package